图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTGS4111P |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 60 mOhm @ 3.7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 32nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 750pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 630mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-74, SOT-457 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6TSOP |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 A |
| RDS -于 | 60@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11|9 ns |
| 典型上升时间 | 15|9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 28|38 ns |
| 典型下降时间 | 22 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 1.5 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 1250 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 60@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSOP |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 3 |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 0.94 |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 其他名称 | NTGS4111PT1GOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 3.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 630mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 750pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 32nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain |
| 外形尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3.1mm |
| 最大漏源电阻 | 110 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TSOP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 15.25 nC @ -10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 750 pF @ -15 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 4.7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 6 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 68 mOhms |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 封装/外壳 | TSOP-6 |
| 上升时间 | 15 ns, 9 ns |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15 ns, 9 ns |
| 漏极电流（最大值） | 3.7 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.06 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 750 pF @ -15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns |
| 封装类型 | TSOP |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.25 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 4.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 68 mOhms |
| 系列 | NTGS4111P |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| 技术 | Si |
| associated | 80-4-5 |
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